赛微电子：已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟

e公司讯，赛微电子在机构调研时表示，在GaN外延片方面，公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟；在GaN器件设计方面，公司在技术、应

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