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赛微电子:已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟
e公司讯,赛微电子在机构调研时表示,在GaN外延片方面,公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟;在GaN器件设计方面,公司在技术、应
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赛微电子频繁资本运作聚焦主业 加速转型向“量产工厂”转变
杨云春推动赛微电子(300456 SZ)在逆境中突围,取得实效。2月6日晚间,赛微电子发布公告称,公司控股子公司海创微芯与北京市怀柔区经济和信
e公司讯,赛微电子在机构调研时表示,在GaN外延片方面,公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟;在GaN器件设计方面,公司在技术、应
杨云春推动赛微电子(300456 SZ)在逆境中突围,取得实效。2月6日晚间,赛微电子发布公告称,公司控股子公司海创微芯与北京市怀柔区经济和信