宁波力争成为全球有影响力的新材料创新领军城市和产业高地

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宽禁带半导体体能实现硅材料难以实现的功能 被视为后摩尔时代材料创新的关键角色

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带(第三代)半导体凭借优异的物理特性，天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件。可以说，宽禁带半导体能

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